Dengan sifat luar biasa seperti-rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan plasma, ketulenan tinggi dan penebat elektrik yang tinggi, seramik termaju berfungsi sebagai bahan mentah kritikal untuk komponen utama dalam peralatan semikonduktor merentas keseluruhan aliran proses-termasuk etsa, pemendapan filem-nipis, litografi, CMP, pembersihan dan pembungkusan/ujian. Komponen ini secara langsung memberi kesan kepada hasil cip dan kestabilan peralatan. Artikel ini, berstruktur di sekitar aliran proses pembuatan cip, menyemak aplikasi komponen seramik dalam pengeluar peralatan domestik, kemajuan industri dan keadaan semasa penggantian import, proses demi proses.
I. Pembuatan Wafer
Komponen dan bahan utama: dulang seramik, pemanas seramik, injap semikonduktor, bahagian kebuk vakum (Al₂O₃, Si₃N₄, SiC, dsb.)
Keperluan prestasi utama: ketulenan tinggi,-rintangan suhu tinggi, rintangan kejutan haba, kerataan tinggi – untuk menyokong penyediaan substrat bagi wafer silikon.
II. Pemprosesan Terma (Pengoksidaan / Resapan / Penyepuhlindapan)
Komponen dan bahan utama: Bot SiC, bahagian seramik tiub relau, pemanas seramik, muncung seramik, injap seramik
Keperluan prestasi utama:-rintangan suhu tinggi ( Lebih daripada atau sama dengan 1200 darjah ), rintangan kejutan haba, gas keluar rendah, ketulenan tinggi – sesuai untuk-proses pengoksidaan/resapan/penyepuhlindapan suhu tinggi.
III. Pemendapan Filem-Nipis
Komponen dan bahan utama: pemanas seramik (AlN, Al₂O₃, Si₃N₄); gelang pemendapan, pelapik ruang, bahagian pengedaran gas (SiC, Al₂O₃)
Keperluan prestasi utama:-keseragaman suhu berketepatan tinggi dalam ±1 darjah , kestabilan haba yang sangat baik, gas keluar rendah, rintangan kepada ubah bentuk suhu-tinggi – sesuai untuk pemendapan berterusan-tempoh yang lama.
IV. Litografi dan Salutan/Pembangunan
Komponen dan bahan utama: peringkat ketepatan, chuck vakum seramik, pemegang topeng, tapak redaman-getaran (kordierit, SiC, seramik-kaca pengembangan-rendah seperti Zerodur); untuk peralatan melapis/membangunkan: lengan seramik, chuck seramik mikroporous, jari vakum
Keperluan prestasi utama: pekali pengembangan terma ultra-rendah, tahap nano-ultra-kerataan tinggi, ketegaran tinggi, redaman getaran – untuk memastikan pendedahan ketepatan tinggi-dalam litografi; bahagian salutan/pembangunan juga memerlukan rintangan kakisan kimia dan penjanaan zarah yang rendah.
V. Mengukir
Komponen dan bahan utama: chuck elektrostatik (Al₂O₃, AlN); cincin fokus, kepala pancuran mandian, plat pengedaran gas, pelapik ruang (SiC, Y₂O₃ sebagai bahan salutan)
Keperluan prestasi utama: rintangan kakisan plasma, ketulenan ultra-tinggi, penumpahan zarah rendah, penebat elektrik tinggi – sesuai untuk goresan-kekerapan tinggi,-keamatan tinggi.
VI. Implantasi Ion
Komponen dan bahan utama: injap skru seramik, bahagian struktur seramik penebat, komponen seramik tahan-suhu tinggi-tahan
Keperluan prestasi utama: ketulenan tinggi, rintangan voltan-tinggi, gas keluar rendah, kestabilan dimensi – sesuai untuk pengangkutan rasuk ion dan pengasingan.
VII. CMP (Perancangan Mekanikal Kimia)
Komponen dan bahan utama: chuck seramik, meja kerja seramik, plat seramik berliang
Keperluan prestasi utama: kerataan tinggi, ketegaran tinggi, rintangan haus, rintangan kakisan kimia – untuk menyokong perancangan wafer.
VIII. Pembersihan
Komponen dan bahan utama: muncung seramik, injap seramik, bahagian struktur seramik tahan karat-
Keperluan prestasi utama: rintangan kepada asid/alkali kuat, ketulenan tinggi, pelepasan zarah rendah – sesuai untuk persekitaran pembersihan basah.